GAN半導体市場 分析

GaN 半導体市場の分析と分析 予測: 2026 年から 2033 年

GaN 半導体市場は、2026 年の48 億 4000 万米ドルと推定され、2033 年には147 億 1000 万米ドルに達すると予想されており、2026 年から 2026 年までの年間平均成長率（CAGR）は 17.2%となります。 2033年。

重要なポイント

• 製品タイプに基づくと、光半導体セグメントは 2026 年に 37.42% のシェアを獲得して市場をリードすると予想されます。
• コンポーネントに基づくと、トランジスタ部門は 2026 年に32.87% のシェアを保持すると予想されます。
• ウェーハ サイズに基づくと、6 インチ ウェーハ セグメントは 2026 年に 47.19% のシェアを占めると予測されます。
• 最終用途産業に基づくと、家電部門は 2026 年に33.54% のシェアを獲得すると予測されています。
• 地域別に見ると、2026 年にはアジア太平洋地域が 47.63% のシェアを獲得して GaN 半導体市場をリードすると予想されています。一方、北米は最も急速に成長する地域になると予想されています。

市場概要

GaN は窒化ガリウムの略で、非常に硬く、機械的に安定しています。ワイドバンドギャップ半導体です。 GaN は、半導体パワーデバイス、高周波 (RF) コンポーネント、発光ディスプレイ (LED) の製造に使用されます。 GaN は、電力変換、RF (高周波)、アナログ アプリケーションにおいて、シリコン半導体の他の古い低速シリコン (Si) テクノロジーを置き換える能力を発揮します。

現在のイベントとその影響 ガンセミコンダクターマーケット

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GaNセミコンダクター市場での主なエンドユーザーとアンメットニーズは何ですか?

• 自動車(EV): 効率的な充電器、インバータ、および高速充電システム。 コストと信頼性が必要です。
• 電気通信/5G: RF のアンプおよび基地局; 拡張性および費用効率を必要とします。
• 再生可能エネルギー: 太陽/風インバーター;長期信頼性およびシステムコストを削減して下さい。
• データセンター/AI: 電源、効率性、持続性および大量生産を必要として下さい。
• 消費者電子工学: 迅速な充電器; 手頃な価格と主流の可用性が必要です。

セグメント情報

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電光半導体の導電 LED、レーザー、光通信の要求によってか。

製品の種類に関しては、Opto-semiconductorsのセグメントは、広く普及しているため、2026年に37.4%のシェアを保持することが期待されています LED照明、レーザーダイオードおよび光学通信システム。 ディスプレイやセンサーの効率性、耐久性、役割が不可欠です。 アジア・パシフィックは、特に消費者向け電子機器やテレコムで需要を促進し、オプト・セミコンダクターが2026年に最大の製品タイプを維持します。

トランジスタ、特にガンHEMTは、RF、パワー、EVアプリケーションのバックボーンとしてリードしますか?

コンポーネントの面では、トランジスタセグメントは、特に高電子モビリティトランジスタ(HEMT)、2026年に32.87%のシェアを持つ市場をリードすると予想され、コンポーネントセグメントをリードします。 スイッチング速度、高周波性能、エネルギー効率性に優れています。 RFデバイス、パワーアンプ、およびEV充電器のクリティカル、トランジスタは2026年に彼らの優位性を保証するGaNアプリケーションのバックボーンを形成します。

たとえば、2025年10月、Infineon の自動車修飾された CoolGaN トランジスタファミリーのリリースでは、GaN 半導体が改善した方法を示しています。 新しい100 Vデバイスは、自動車システムと高品質のクラスDオーディオアンプがより効率的に電力を変換するのに役立つことを意味します。 この新機能は、信頼性、エネルギー効率、次世代エレクトロニクス用途に注力することで、GaNトランジスタ技術のリーダーをさらに強力に発揮します。

6インチのウエハは、コストを削減し、8インチの新興国でも主流の選択肢が残っていますか?

ウェーハサイズでは、6インチウェーハセグメントは2026年の47.19%シェアを想定し、コスト効率と高い歩留まりを実現します。 大型ウエファーは装置ごとの生産費を削減し、大量生産の採用のためのスケーリングを支えます。 8インチのウエハが出現する中、6インチは2026年に主流の選択を残します、製造の一貫性および商業viabilityを運転します。

たとえば、2025年7月、シンガポールのA-STARが6インチのGaN-on-SiCと8インチのGaN-on-Siウエハ製造ラインを備えた国立研究開発センターであるNSTIC(GaN)をオープンしました。 5G / 6G、衛星、レーダーなどの高度なRFおよび通信アプリケーションをサポートしています。 シンガポールの半導体エコシステムを強化し、プロトタイピング、商品化、次世代のGaNテクノロジーに関する他の企業と連携。

5G、スマートフォン、データセンター、および高性能コンピューティングを通じて、消費者エレクトロニクスがGaNの採用を促進しますか?

エンドユーザー業界において、コンシューマー電子セグメントは2026年に33.54%のシェアをキャプチャし、5Gロールアウト、スマートフォン、データセンター、および高性能コンピューティングによって燃料を供給しました。 GaNデバイスは、より高速充電、効率的な電力変換、コンパクトな設計を実現します。 日常の電子機器への統合により、このセグメントが2026年にリードし、自動車と防衛が密接に続いています。

例えば、2025年12月、 科学研究 そしてOnsemiは200のmm GaN-on-siliconの技術を使用してより多くのGaN力装置を作るために一緒に働きました。 ターゲット市場には、高速充電器、アダプタ、オーディオシステム、光電子モビリティ、自動車、産業、電気通信、AIデータセンターなどの家電製品が含まれます。 これにより、世界中のあらゆる用途で効率的な、コンパクト、スケーラブルな次世代半導体ソリューションを実現できます。

地域洞察

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アジアパシフィックガン半導体 市場分析とトレンド

アジアパシフィックは、2026年に47.63%のシェアを持つGaN半導体市場を占め、消費者向け電子機器、急速5Gロールアウト、ワイドスプレッドLED採用によります。 中国、日本、韓国の強靭な製造拠点は、電気自動車の成長と産業力が利用を加速し、地域を最大かつ最も影響力のある市場を創り出します。

例えば、2025年4月では、 Navitasセミコンダクター GigaDeviceは、GaNFastパワーICを高度な組み合わせるために一緒に働いています マイクロコントローラお問い合わせ 中国で始まり、米国と協力してAIデータセンター、電気自動車、太陽光エネルギー、エネルギー貯蔵に重点を置いています。 この統合は、GaNのグローバル採用をスピードアップし、次世代のパワーエレクトロニクスがより効率的で、制御が容易で、よりスケーラブルな市場を実現します。

北アメリカのGaNの半導体の市場分析及び傾向

北米は、高周波数トランジスタ、急速5Gインフラの拡張、電気自動車の採用に関する防衛と航空宇宙の信頼性のために、市場の最速の成長を展示する予定です。 強力な研究開発のエコシステム、政府投資、および高度な製造ドライブ成長、地域を最も急速に成長する市場として、多様なハイテクアプリケーションを業界全体で位置付けます。

たとえば、2025年12月、OnsemiとGlobalFoundriesは、米国のGaNパワーデバイスの次の世代を作るために協力しました。 自動車・産業・データセンターの市場を軸に、GFのものづくりに関する知識を融合し、 米国に拠点を置くこのプログラムでは、先進的な電力用途向けに、効率的な高周波数のGaN技術を使用するため、世界中の国々がより簡単に利用できるように、米国で半導体製造を促進します。

GaNセミコンダクター市場見通し国-Wise

中国 GaN 半導体 市場動向

中国のGaNの半導体の要求は急速な5Gのロールアウト、電気自動車の拡張、再生可能エネルギーの採用および消費者の電子工学の成長によって運転されます。 強力な政府サポート、ローカル製造能力、および積極的な特許活動は中国をグローバルリーダーにします。 GaNは、高効率でコンパクトな電力システム、全国のイノベーションと産業の競争力を強化します。

例えば、2025年2月、中国では、Changan AutomotiveはNavitas GaNFast ICを使用する初の商用GaNベースのオンボードチャージャーを発表しました。 この新しい技術により、EV充電は、小型で軽量なシステムでより高速かつ効率的に行うことができます。 マイルストーンは、GaNが消費者向け電子機器から自動車用アプリケーションに移行していることを示しています。これにより、世界中の人々が持続可能なモビリティソリューションのために先進的なパワー半導体を使用するのに役立ちます。

米国GaNセミコンダクター 市場動向

米国GaNの半導体市場は電気自動車の成長、再生可能エネルギーの採用、5Gのインフラおよび防衛適用によって運転されます。 国内製造、グローバルリーダーとのパートナーシップ、効率的なコンパクトなパワーシステム燃料GaN採用の要求、エネルギー効率の向上、サプライチェーンのレジリエンス、技術競争力の強化。

たとえば、2025年4月、米国では、Polar Semiconductorは日本のRenesasと協力して、GaN-on-Si技術をライセンスし、米国の200mmウェーハで先進のGaNデバイスを作る。 このパートナーシップにより、米国半導体製造がより強力になり、サプライチェーンがより弾力性を高め、自動車、産業、再生可能エネルギー、データセンターアプリケーションを世界中で使用し、成長し、うまく機能するソリューションを加速します。

マーケットレポートスコープ

GaNセミコンダクター マーケットドライバー

エネルギー効率と性能

GaN半導体は、シリコンと比較して優れたエネルギー効率と性能を提供し、より高い電力密度、高速切換速度、エネルギー損失を削減します。 これらの利点はEV、5G、データセンターおよび再生可能エネルギーシステムで採用します。 需要が拡大するにつれて、GaNセミコンダクター市場規模はグローバルに拡大し、電力電子機器の変革的な影響を反映しています。

GaNセミコンダクター 市場動向

大型ウエハへのシフト(200mm→300mm)

200mmから300mmのウエファーまでのScaling GaNの製造業は生産費を削減し、大量生産の採用を支えるより高い出力を可能にします。 この移行は、効率的なコンパクトな電力ソリューションを必要とする自動車およびデータセンターアプリケーションにとって不可欠です。 拡張性が向上するため、GaNセミコンダクターマーケットの需要はグローバルに上昇し、EV、テレコム、再生可能エネルギー、および先進的な電子機器を横断する成長を促進します。

自動車統合

自動車インテグレーションは、電動車両がオンボードの充電器、コンパクトなインバータ、超高速充電システムを必要とするため、GaNセミコンダクター市場成長の重要な触媒です。 GaNテクノロジーは、高出力密度とエネルギー損失を削減し、OEMをGaNサプライヤーと提携し、性能、持続可能性を強化し、グローバル自動車アプリケーション全体での採用を加速させます。

アナリストオピニオン(エキスパートオピニオン)

ガリウム窒化物(GaN)半導体の市場価値は採用の明確な傾向および広範囲のエンド使用の適用のためにより大きい半導体の企業のより重要な部分になります。 GaNの組み込みの利点は、ワイドバンドギャップ、高速切り替え速度、およびより良い熱性能のような、パワーエレクトロニクス、無線周波数(RF)システム、および光電部品でより一般的です。 パワートランジスタとRFアンプは、過去数年間に世界中のGaN出荷の大部分を占めています。 ディスクリートトランジスタのデザインは、特にユニットのボリュームの中で人気がありました。

デバイス出力データは、通信、コンシューマー電源アダプター、自動車用電子機器など、GaNトランジスタやRFコンポーネントが多くの業界で使用されていることを示しています。 GaNの小型で高性能なパワーモジュールを作る能力はすぐに充満する高度の電力変換装置および電子工学の使用に導きました。 電気通信のインフラ部門、特に5G基地局および防衛レーダーは、高周波性能および高められた熱安定性によるRF GaNの採用をかなり推進しました。

アジア・パシフィックと北米が主な市場であることを地域からの洞察。 強い製造拠点を持ち、技術に投資しているためです。 アジア・パシフィックでは、電気自動車や半導体製造エコシステムにおける電子機器の需要が高まっています。 GaNのパフォーマンスエンベロープを重視する防衛、電気通信およびデータセンターアプリケーションは、北米での需要を増加させます。

業界の参加者は、高い基質コストと低収率が解決する必要がある問題であると言う。 しかし、GaN-on-siliconソリューションのようなウェーハスケーリングおよび基質技術における継続的な改善は、コストを削減し、新しい市場を立ち上げています。

最近の開発

• 12月2025日、VisIC イスラエルに拠点を置く技術は、電気自動車用のGaN半導体を開発するのに約26億ドルを調達しました。 お金は、エネルギーの使用を削減し、EVがより良く働かせる高効率電力変換に役立ちます。 このマイルストーンは、GaNの車がより強く、欧州、アジア、北アメリカで成長する電気自動車市場で世界中で効果が感じられます。
• 2025年10月、ベルギーに拠点を置くImeecは、300mm GaNプログラムをGlobalFoundries、AIXTRON、KLA、Synopsys、Veecoをパートナーとして開始しました。 プロジェクトの目標は、CPU、GPU、電気自動車、太陽光発電、電気通信、データセンター用の低電圧のGaN電源装置を作ることです。 最大300mmのウェーハをスケーリングすることでコストを削減し、次世代の電力電子機器を効率的かつ小型化することが可能になりました。
• 2025年3月、STMicroelectronicsとInnoscienceは、欧州と中国でGaNパワーデバイスをより良いものにするためにチームを組んだ。 STは中国でInnoscienceの工場を利用でき、InnoscienceはヨーロッパでSTの工場を使うことができます。 このパートナーシップにより、消費者向け電子機器、データセンター、自動車、再生可能エネルギーにおけるGaNの使用を強力に加速します。 また、効率的な小型・次世代半導体ソリューションの創出にも貢献します。

市場区分

• 製品タイプ別
  • 無線周波数装置
  • オプトセミコンダクター
  • パワー半導体
• コンポーネント別
  • トランジスタ
  • ダイオード
  • 整流器
  • パワーIC
  • その他
• ウエファーサイズ別
  • 2インチ
  • 4インチ
  • 6インチ
  • 8インチ
• エンドユース業界別
  • 自動車産業
  • 消費者エレクトロニクス
  • 防衛と航空宇宙
  • ヘルスケア
  • 情報・コミュニケーション テクノロジー
  • 産業及び力
  • その他
• 地域別
  • 北アメリカ
    • アメリカ
    • カナダ
  • ラテンアメリカ
    • ブラジル
    • アルゼンチン
    • メキシコ
    • ラテンアメリカの残り
  • ヨーロッパ
    • ドイツ
    • アメリカ
    • スペイン
    • フランス
    • イタリア
    • ベネラックス
    • デンマーク
    • ノルウェー
    • スウェーデン
    • ロシア
    • ヨーロッパの残り
  • アジアパシフィック
    • 中国・中国
    • 中国語(簡体)
    • インド
    • ジャパンジャパン
    • 韓国
    • インドネシア
    • マレーシア
    • フィリピン
    • シンガポール
    • オーストラリア
    • アジアパシフィック
  • 中東・アフリカ
    • バーレーン
    • クウェート
    • オマーン
    • カタール
    • サウジアラビア
    • アラブ首長国連邦
    • イスラエル
    • 南アフリカ
    • 北アフリカ
    • 中央アフリカ
    • MEAの残り
• 世界的なGaNセミコンダクター市場における主要プレイヤー
  • クレア株式会社
  • 効率的な電力変換株式会社
  • 株式会社富士通
  • ガンシステム
  • インフィニオンテクノロジーズAG
  • NexGenパワーシステム
  • NXPセミコンダクター
  • 株式会社Qorvo
  • テキサス・インスツルメンツ株式会社
  • 東芝株式会社
  • その他

ソース

第一次研究インタビュー

• ガン半導体デバイスメーカー
• パワーエレクトロニクスOEM&モジュールインテグレーター
• 自動車EV パワートレインエンジニア
• 電気通信およびデータセンターインフラストラクチャプロバイダ
• RF&マイクロ波コンポーネントデザイナー
• その他

データベース

• ブルームバーグターミナル
• トムソンロイターEikon
• S&Pグローバルマーケットインテリジェンス
• IHSマーク
• ファクトセット
• その他

雑誌

• パワーエレクトロニクスニュース
• 半導体工学雑誌
• EEタイムズ
• エレクトロニクスウィークリー
• その他

ジャーナル

• パワーエレクトロニクスに関するIEEE取引
• 電子デバイスに関するIEEE取引
• 化合物半導体のジャーナル
• 応用物理学の手紙
• その他

新聞

• 金融タイムズ
• ウォールストリートジャーナル
• ロイター
• ブルームバーグニュース
• その他

協会について

• IEEEパワーエレクトロニクス協会(PELS)
• 半導体産業協会(SIA)
• JEDECについて ソリッドステート技術協会
• 欧州電力電子工学およびドライブ協会(EPE)
• その他

パブリックドメインソース

• 米国エネルギー省(DOE) – パワーエレクトロニクスプログラム
• 国立標準技術研究所(NIST)
• 欧州委員会 – デジタル・半導体 取り組み
• 世界の半導体 取引統計(WSTS)
• 米国国際貿易委員会(USITC)
• その他

独自の要素

• ログイン データ分析ツール
• プロモーション CMI 過去8年間の情報の既存のリポジトリ